真空电镀反应溅射：
1.在溅射镀膜时，有意识地将某种反应性气体如氮气，氧气等引入溅射室并达到一定分压，即可以改变或者控制沉积特性，从而获得不同于靶材的新物质薄膜，2.如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。
3.直流反应溅射存在靶z毒，阳极消失问题，上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射，使反应溅射可以大规模的工业应用。
4.反应磁控溅射所用的靶材料（单位素靶或多元素靶）和反应气体（氧、氮、碳氢化合物等）通常很容易获得很高的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。
5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。
6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因而对基板材料的限制较少。
7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜，并能实现对镀膜的大规模工业化生产。
真空电镀：Vacuum metalizing，即是物理气相沉积（PVD），即在真空下将原子打到靶材表面上达到镀膜的目的。运用于光学镜片，如航海望远镜镜片，后来随着技术的改进，延伸到了唱片、磁盘、光盘、手机外壳、机械刀具等材料上的装饰镀膜、材料表面改性等。
几乎所有金属、合金、及陶瓷材料都适用于真空电镀。
自然材料会影响真空环境，不适合真空电镀。